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@achi
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@a微电子器件@Awei dian zi qi jian@f陈星弼 ... [等] 编著
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@a4版
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@a北京@c电子工业出版社@d2018.07
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@aXIV, 333页@c图@d26cm
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@a微电子与集成电路设计系列规划教材@Awei dian zi yu ji cheng dian lu she ji xi lie gui hua jiao cai
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@a题名页题其余责任者: 陈勇, 刘继芝, 任敏
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@a本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上, 全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。
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@a“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材
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@12001 @a微电子与集成电路设计系列规划教材
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@a微电子技术@Awei dian zi ji shu@x电子器件@x高等教育@j教材
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@aTN4@v5
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701
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0
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@a陈勇@Achen yong@4编著
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@a刘继芝@Aliu ji zhi@4编著
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@a任敏@Aren min@4编著
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@a陈星弼@Achen xing bi@4编著
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@aCN@bHNYZ@c20201204
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@aZUCC@dTN4@e9=4
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@a6490733
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| 微电子器件/陈星弼 ... [等] 编著.-4版.-北京：电子工业出版社，2018.07 |
| XIV, 333页：图；26cm.-(微电子与集成电路设计系列规划教材) |
| 使用对象：“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 |
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| ISBN 978-7-121-34267-7：CNY 59.90 |
| 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上, 全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管 (BJT) 和绝缘栅场效应晶体管 (MOSFET) 的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。 |
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正题名：微电子器件
索取号：TN4/9=4
预约/预借
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登录号
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条形码
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备注
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1
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700504
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202700504
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文艺社科书库/
[索取号:TN4/9=4]
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在馆
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架位导航
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2
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700505
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文艺社科书库/
[索取号:TN4/9=4]
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在馆
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文艺社科书库/
[索取号:TN4/9=4]
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