书目信息

书名: 三维存储芯片技术 
作者: 米歇洛尼 著 ;高滨 钱鹤 吴华强
出版信息: 北京   清华大学出版社  2020.02
开本页数: 26cm  277页
丛书名: 新视野电子电气科技丛书
单 册:
中图分类: TN43 TN4
科图分类:
主题词: 集成芯片--ji cheng xin pian--研究 , 微电子技术 , 集成电路
电子资源:
ISBN: 978-7-302-53134-0
000 01410nam 2200361 450
001 2038649487
005 20201203124114.01
010    @a978-7-302-53134-0@dCNY 118.00
100    @a20200506d2020 em y0chiy50 ea
101 @achi@cita
102    @aCN@b110000
105    @aa z 000yy
200 @a三维存储芯片技术@Asan wei cun chu xin pian ji shu@f(圣马) 里诺·米歇洛尼著@d= 3D flash memories@fRino Micheloni@g吴华强, 高滨, 钱鹤译@zeng
210    @a北京@c清华大学出版社@d2020.02
215    @a277页@c图@d26cm
225 @a新视野电子电气科技丛书@Axin shi ye dian zi dian qi ke ji cong shu
306    @a由德国施普林格公司授权出版
330    @a本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。
410  0 @12001 @a新视野电子电气科技丛书
510 @a3D flash memories@zeng
606 @a集成芯片@Aji cheng xin pian@x研究
606 @a微电子技术
606 @a集成电路
690    @aTN43@v5
690    @aTN4@v4
701  1 @a米歇洛尼@Ami xie luo ni@g(Micheloni, Rino)@4著
702  0 @a高滨@Agao bin@4译
702  0 @a钱鹤@Aqian he@4译
702  0 @a吴华强@Awu hua qiang@4译
801  0 @aCN@bHNYZ@c20201203
902    @aRt921-1681
905    @aZUCC@dTN4@e7
962    @a6922759
    
    三维存储芯片技术/(圣马) 里诺·米歇洛尼著= 3D flash memories/Rino Micheloni/吴华强, 高滨, 钱鹤译.-北京:清华大学出版社,2020.02
    277页:图;26cm.-(新视野电子电气科技丛书)
    
    
    ISBN 978-7-302-53134-0:CNY 118.00
    本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。
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正题名:三维存储芯片技术     索取号:TN4/7         预约/预借

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